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加大生产计划,三星电子考虑对西安工厂追加投资

字号+ 作者:七娃 来源:体育网 2019-10-14 11:22 我要评论( )

据证券和半导体行业消息人士透露,三星电子计划在明年将内存芯片设施的资本支出增加至65亿美元(合462亿元人民币),预计增加的部分资金将用于其位于西安的第二家半导体工厂。此外,三星电子将在年底宣布这项投资计划。 此前,在2014年竣工的三星西安工厂,

  据证券和半导体行业消息人士透露,三星电子计划在明年将内存芯片设施的资本支出增加至65亿美元(合462亿元人民币),预计增加的部分资金将用于其位于西安的第二家半导体工厂。此外,三星电子将在年底宣布这项投资计划。

 

 

   此前,在2014年竣工的三星西安工厂,已经完全实现产能满载,仍然无法满足NAND闪存供应需求。2017年8月,三星电子与陕西省政府签署了建设二工厂的谅解备忘录。三星还表示,计划在2020年为止的三年内投资一工厂和二工厂共计70亿美元(8.38万亿韩元)。
  按照“三年之约”,三星必须在明年8月前完成投资,还要全面运营西安二工厂的生产线。据了解,三星西安二工厂的新生产线设备已安装完毕并已经开始试运行,预计明年2月可以实现量产。
  业内人士认为,三星电子的额外投资计划将为当前供过于求的NAND闪存市场带来更多不确定性,并且可能成为竞争加剧的NAND市场的差异化战略。
  与DRAM不同,NAND闪存市场正在逐渐显示出复苏的迹象。DRAMeXchange的数据显示,上个月底,128Gb多级单元(MLC)NAND闪存产品的价格为4.11美元(4,918韩元),与上个月相比变化不大。该数字在7月底两年来首次上升,8月也增长了2%以上。
  报道指出,目前在NAND闪存市场上,三星电子、东芝、西部数据、美光、SK海力士和英特尔之间竞争激烈,但尽管三星电子的加码投资和扩张生产不会对市场产生太大影响,一方面由于其他公司正在减产,三星电子也可以因此获得更多的市场份额。

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